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उत्पाद विवरण:
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| चिप का आकार: | 0.77 मिमी2 | कैप्सूलीकरण: | TO46 |
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| विशेषताएँ: | नीलम खिड़की, उच्च संवेदनशीलता, कम अंधेरा वर्तमान | प्रतिक्रिया तरंग दैर्ध्य: | 230-325 एनएम |
| ठेठ आवेदन: | फोटोथेरेपी लैंप मॉनिटरिंग | ||
| प्रमुखता देना: | यूवीआई डिटेक्शन यूवी फोटोडायोड सेंसर,यूवी फोटोडायोड सेंसर GaN क्रॉलर |
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उत्पाद वर्णन:
जीटी-यूवीबी-एम यूवी सेंसर GaN क्रॉलर और अन्य यूवी मॉनिटरिंग यूवीआई डिटेक्शन
विशेषताएँ:
सामान्य विशेषताएं: एल यूवीबी + यूवीसी बैंड के लिए चुनिंदा प्रतिक्रिया एल फोटोवोल्टिक मोड ऑपरेशन एल टीओ -46 धातु आवास एल अच्छा दृश्य अंधापन एल उच्च उत्तरदायित्व और कम अंधेरा वर्तमान अनुप्रयोग: यूवीबी दीपक निगरानी, यूवीबी विकिरण खुराक माप निर्दिष्टीकरण: पैरामीटर प्रतीक मूल्य इकाई अधिकतम रेटिंग ऑपरेशन तापमान रेंज टॉप -25-85 oC स्टोरेज तापमान रेंज Tsto -40-80 oC सोल्डरिंग तापमान (3 s) Tsol 260 oC रिवर्स वोल्टेज Vr-max -10 V सामान्य विशेषताएँ (25 oC) चिप का आकार A 0.77 mm2 डार्क करंट (Vr) = -5 वी) आईडी <1 एनए तापमान गुणांक (@265 एनएम) टीसी 0.05%/ओसी क्षमता (0 वी और 1 मेगाहर्ट्ज पर) सीपी 18 पीएफ>
विशेष विवरण:
| शिखर उत्तरदायित्व की तरंग दैर्ध्य | λ पी 290 एनएम |
| पीक उत्तरदायित्व (385 एनएम पर) | आरमैक्स 0.129 ए/डब्ल्यू |
| स्पेक्ट्रल प्रतिक्रिया रेंज (आर = 0.1 × आरमैक्स) | 230-325 एनएम |
| यूवी-दृश्यमान अस्वीकृति अनुपात (Rmax/R450 एनएम) | - >10 - |
व्यक्ति से संपर्क करें: Xu
दूरभाष: 86+13352990255
