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उत्पाद विवरण:
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| High UV sensitivity: | QE 75% (λ=200 nm) | Receiving surface: | 5.8 × 5.8 mm |
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| Reverse voltage (Max.): | 5V | Rise time (typical value): | 1 μs |
| प्रमुखता देना: | पराबैंगनी सिलिकॉन फोटोड,सटीक सिलिकॉन फोटोड |
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उत्पाद का वर्णन:
S1337-66BQ सिलिकॉन फोटोड पराबैंगनी से अवरक्त बैंड में सटीक फोटोमेट्री के लिए उपयुक्त है
विशेषताएं:
पराबैंगनी से अवरक्त बैंड में सटीक फोटोमेट्री के लिए उपयुक्त
विशेषाधिकार
- उच्च यूवी संवेदनशीलता: क्यूई 75% (λ=200 एनएम)
- कम क्षमता
रिसेप्टिंग सतह 5.8 × 5.8 मिमी
कैप्सुलेटेड सिरेमिक
पैकेज श्रेणी --
रेफ्रिजरेटर अनकूल्ड प्रकार
रिवर्स वोल्टेज (अधिकतम) 5 वी
स्पेक्ट्रल प्रतिक्रिया रेंज 190 से 1100 एनएम
अधिकतम संवेदनशीलता तरंग दैर्ध्य (सामान्य मूल्य) 960 एनएम
प्रकाश संवेदनशीलता (सामान्य मूल्य) 0.5A /W
अंधेरा करंट (अधिकतम) 100 पीए
वृद्धि का समय (सामान्य मूल्य) 1 μs
जंक्शन क्षमता (सामान्य) 380 पीएफ
शोर समकक्ष शक्ति (सामान्य मूल्य) 1.3×10-14 W/Hz1/2
माप की स्थितियों के विशिष्ट मान Ta=25°C, प्रकाश संवेदनशीलताः λ = 960 nm, अंधेरे प्रवाहः VR = 10 mV, जंक्शन क्षमताः VR = 0 V, f = 10 kHz, जब तक अन्यथा नहीं कहा जाता
विनिर्देश:
| स्पेक्ट्रल प्रतिक्रिया रेंज | 190 से 1100 एनएम |
| अधिकतम संवेदनशीलता तरंग दैर्ध्य (सामान्य मान) | 960 एनएम |
| प्रकाश संवेदनशीलता (सामान्य मूल्य) | 0.5A /W |
| अंधेरा प्रवाह (अधिकतम) | 100 पीए |
व्यक्ति से संपर्क करें: Miss. Xu
दूरभाष: 86+13352990255
