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उत्पाद विवरण:
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| प्रकाश-प्राप्त पक्ष: | 1.1 × 1.1 मिमी | कैप्सूलीकरण: | धातु |
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| पैकेज श्रेणी: | को-18 | प्रशीतन: | बिना ठंडे |
| रिवर्स वोल्टेज (अधिकतम): | 5 वी | वर्णक्रमीय प्रतिक्रिया सीमा: | 320 से 1000 एनएम |
| प्रमुखता देना: | S1226-18BQ सिलिकॉन फोटोड,एनआईआर संवेदनशीलता सिलिकॉन फोटोड,S1226-18BK सिलिकॉन फोटोड |
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सिलिकॉन पिन फोटोड S1226-18BK
यह पराबैंगनी से दृश्य तरंग दैर्ध्य बैंड में सटीक फोटोमेट्री के लिए उपयुक्त है; निकट अवरक्त संवेदनशीलता को दबाता है
विशेषताएं
- उच्च यूवी संवेदनशीलताः QE = 75 % (λ = 200 nm)
- एनआईआर संवेदनशीलता का दमन
- कम अंधेरे धारा
- उच्च विश्वसनीयता
| अधिकतम संवेदनशीलता तरंग दैर्ध्य (सामान्य) | 720 एनएम |
| प्रकाश संवेदनशीलता (सामान्य) | 0.36 ए/डब्ल्यू |
| अंधेरा प्रवाह (अधिकतम) | 2pA |
| उगने का समय (सामान्य) | 0.15 μs |
| जंक्शन क्षमता (सामान्य) | 35 पीएफ |
| शोर समकक्ष शक्ति (सामान्य) | 1.6×10-15W/Hzआधा |
सिलिकॉन पिन फोटोड S1226-18BQ
यह पराबैंगनी से दृश्य तरंग दैर्ध्य बैंड में सटीक फोटोमेट्री के लिए उपयुक्त है; निकट अवरक्त संवेदनशीलता को दबाता है
विशेषताएं
- उच्च यूवी संवेदनशीलताः QE = 75 % (λ = 200 nm)
- एनआईआर संवेदनशीलता का दमन
- कम अंधेरे धारा
- उच्च विश्वसनीयता
| प्रकाश प्राप्त करने वाली तरफ | 1.1 × 1.1 मिमी |
| समापन | धातु |
| पैकेज श्रेणी | TO-18 |
| रिवर्स वोल्टेज (अधिकतम) | 5 वी |
| स्पेक्ट्रल प्रतिक्रिया रेंज | 190 से 1000 एनएम |
| प्रकाश संवेदनशीलता (सामान्य) | 0.36 ए/डब्ल्यू |
व्यक्ति से संपर्क करें: Miss. Xu
दूरभाष: 86+13352990255
