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उत्पाद विवरण:
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| प्रकाश-प्राप्त पक्ष: | φ1.0 मिमी | पिक्सेल की संख्या: | 1 |
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| कैप्सूलीकरण: | धातु | पैकेज श्रेणी: | को-18 |
| ठंडा: | बिना ठंडे | संवेदनशीलता तरंग दैर्ध्य सीमा: | 0.9 से 1.7 माइक्रोन |
| प्रमुखता देना: | धातु कैप्सुलेशन InGaAs पिन फोटोड,कम जंक्शन कैपेसिटी वाले InGaAs पिन फोटोड,1.7 μm InGaAs पिन फोटोड |
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InGaAs पिन फोटोड G12180-010A
विशेषताएं:
- कम शोर, कम अंधेरे प्रवाह
- कम जंक्शन क्षमता
- प्रकाश प्राप्त करने वाली सतह: φ1 मिमी
- कम शोर
| अधिकतम संवेदनशीलता तरंग दैर्ध्य (सामान्य) | 1.55 μm |
| प्रकाश संवेदनशीलता (सामान्य) | 1.1 ए/डब्ल्यू |
| अंधेरा प्रवाह (अधिकतम) | 4 nA |
| कट-ऑफ आवृत्ति (सामान्य) | 60 मेगाहर्ट्ज |
| जंक्शन क्षमता (सामान्य) | 55 पीएफ |
| शोर समकक्ष शक्ति (सामान्य) | 1.4×10-14W/Hzआधा |
| संवेदनशीलता तरंग दैर्ध्य सीमा | 0.9 से 1.7 माइक्रोन |
| शीतलन | बिना ठंडे |
व्यक्ति से संपर्क करें: Miss. Xu
दूरभाष: 86+13352990255
