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उत्पाद विवरण:
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| वर्णक्रमीय श्रेणी: | 0.9 ~ 2.6 μm | पीक वेवलेंथ: | 2.3 माइक्रोमीटर |
|---|---|---|---|
| प्रतिक्रिया दर (λp): | 1.0 ~ 1.3 ए/डब्ल्यू | डार्क करंट आईडी: | 0.4 μA (सामान्य) |
| डायोड कैपेसिटेंस सी.जे: | 50-100 पीएफ | आपूर्ती बंद करने की आवृत्ति: | 20-50 मेगाहर्ट्ज |
| परिचालन तापमान: | -40 ℃ ~ +85 ℃ | शोर समतुल्य शक्ति एनईपी: | ~4–9×10 |
| प्रमुखता देना: | InGaAsPIN फोटोड उच्च गति ऑप्टिकल डिटेक्शन,निकट अवरक्त फोटोड लंबी तरंग अवरक्त,इन्फ्रारेड फोटोइलेक्ट्रिक सेंसर InGaAsPIN |
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उत्पाद का वर्णन:
YJJ G12183-003K उच्च गति ऑप्टिकल डिटेक्शन के लिए InGaAsPIN फोटोडायोड निकट-अवरक्त लंबी तरंग अवरक्त
विशेषताएं:
संवेदनशील क्षेत्रः φ1 मिमी
उत्पाद की विशेषताएं
कम शोर
कम जंक्शन क्षमता
कम अंधेरा प्रवाह
संवेदनशील क्षेत्रः φ1 मिमी
विस्तृत पैरामीटर
संवेदनशील क्षेत्र φ1 मिमी है
पिक्सेल की संख्या 1 है
कैप्सुलेशन धातु
कैप्सुलेशन प्रकार: टीओ-18
शीतलन मोड
स्पेक्ट्रल प्रतिक्रिया रेंज 0.9 से 1.7 μm है
पीक संवेदनशीलता तरंग दैर्ध्य (सामान्य मान) 1.55 μm है
प्रकाश संवेदनशीलता (सामान्य मूल्य) 1.1 A/W
अंधेरा करंट (अधिकतम) 4 एनए
कट-ऑफ आवृत्ति (सामान्य मूल्य) 60 मेगाहर्ट्ज
जंक्शन क्षमता (सामान्य मूल्य) 55 पीएफ
शोर समकक्ष शक्ति (सामान्य मूल्य) 1.4×10-14 W/Hz1/2
टाइप Ta=25 °C, जब तक कि अन्यथा उल्लेख नहीं किया गया, प्रकाश संवेदनशीलताः λ=λp, अंधेरे धाराः VR= 5V, कटऑफ आवृत्तिः VR= 5V, RL= 50Ω, -3 dB, टर्मिनल क्षमताः VR= 5V, f= 1MHz.
विनिर्देशः
| प्रकाश संवेदनशील क्षेत्र | 0.2 मिमी |
| इनकैप्सुलेशन प्रकार है | TO-18 |
| पीक संवेदनशीलता तरंग दैर्ध्य (सामान्य मान) | 800 एनएम |
| वर्णक्रमीय प्रतिक्रिया सीमा है | 400 से 1000 एनएम |
| प्रकाश संवेदनशील क्षेत्र | 0.2 मिमी |
व्यक्ति से संपर्क करें: Miss. Xu
दूरभाष: 86+13352990255
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