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उत्पाद विवरण:
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| प्रकार: | निकट-अवरक्त (निम्न-पूर्वाग्रह संचालन) | रंग: | φ0.2 मिमी |
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| पैकेज सामग्री: | धातु | पैकेज प्रकार: | को-18 |
| प्रमुखता देना: | सिलिकॉन एवलांच फोटोडायोड इन्फ्रारेड सेंसर,लो-बायस ऑपरेशन इन्फ्रारेड फोटोडायोड,वारंटी के साथ इन्फ्रारेड फोटोइलेक्ट्रिक सेंसर |
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एस12023-02-01 सिलिकॉन एवलांच फोटोडायोड इन्फ्रारेड लो-बायस ऑपरेशन
यह सिलिकॉन एवलांच फोटोडायोड (Si APD) निकट-इन्फ्रारेड रेंज (800 nm बैंड) के लिए डिज़ाइन किया गया है और 200 V या उससे कम के निम्न वोल्टेज पर संचालित होता है। यह ऑप्टिकल रेंजफाइंडर और फ्री-स्पेस ऑप्टिकल कम्युनिकेशन जैसे अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है।
विशेषताएं:
・कम बायस वोल्टेज पर स्थिर संचालन
・तेज प्रतिक्रिया गति
・उच्च संवेदनशीलता और कम शोर
विनिर्देश:
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चरम संवेदनशीलता की तरंग दैर्ध्य (विशिष्ट)
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800 nm |
| संवेदनशीलता की तरंग दैर्ध्य सीमा | 400–1000 nm |
| फोटोसेंसिटिविटी (विशिष्ट) | 0.5 A/W |
| अधिकतम डार्क करंट | 0.5 nA |
| कट-ऑफ आवृत्ति (विशिष्ट) | 1000 MHz |
| विशिष्ट टर्मिनल कैपेसिटेंस | 1 pF |
| ब्रेकडाउन वोल्टेज (विशिष्ट) | 150 V |
| ब्रेकडाउन वोल्टेज तापमान गुणांक (विशिष्ट) | 0.65 V/°C |
| गुणांक (विशिष्ट) | 100 |
व्यक्ति से संपर्क करें: Xu
दूरभाष: 86+13352990255
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