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उत्पाद विवरण:
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| प्रयोग: | दिन ब्लाइंड डिटेक्टर | चिप का आकार: | 1 मिमी 2 |
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| पैकेज: | To46 | प्रतिक्रिया तरंग दैर्ध्य: | 220-290 एनएम |
| प्रमुखता देना: | हिमस्खलन फोटोडायोड डिटेक्टर यूवी,उच्च संवेदनशीलता हिमस्खलन फोटोडायोड डिटेक्टर,सौर अंधा यूवी डिटेक्टर |
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उत्पाद का वर्णन:
जीटी-यूवीसी-एल यूवीसी फोटोड फोटोवोल्टिक मोड ऑपरेशन उच्च प्रतिक्रिया और कम अंधेरे करंट
विशेषताएं:
यूवीसी बैंड के प्रति चुनिंदा प्रतिक्रिया l फोटोवोल्टिक मोड संचालन l TO-46 धातु आवास l अच्छा सौर अंधापन l उच्च प्रतिक्रियाशीलता और कम अंधेरे प्रवाह
यूवी नसबंदी दीपक निगरानी, यूवी विकिरण खुराक माप, लौ का पता लगाने
पैरामीटर प्रतीक मूल्य इकाई अधिकतम रेटिंग
ऑपरेशन तापमान सीमा Topt -25-85 oC
भंडारण तापमान सीमा Tto -40-80 oC
सोल्डरिंग तापमान (3 सेकंड) Tsol 260 oC
रिवर्स वोल्टेज Vr-max -10 V
सामान्य विशेषताएं (25 oC) चिप का आकार A 1 मिमी2 अंधेरा प्रवाह (Vr = -1 V) Id <1 nA तापमान गुणांक (@265 nm) Tc 0.05 %/ oC क्षमता (० वी और १ मेगाहर्ट्ज पर) Cp 18 pF वर्णक्रमीय प्रतिक्रिया विशेषताएं (25 oC) चोटी प्रतिक्रिया की तरंग दैर्ध्य λ p 285 एनएम चोटी प्रतिक्रिया (२८५ एनएम पर) Rmax 0.178 ए/डब्ल्यू स्पेक्ट्रल प्रतिक्रिया रेंज (R=0.1×Rmax) - 225-290 एनएम यूवी-दृश्य अस्वीकृति अनुपात (Rmax/R400 एनएम) - > 104
विनिर्देश:
| विनिर्देश | पैरामीटर |
| पीक तरंग दैर्ध्य | 285nm |
| प्रकाश संवेदनशीलता | 0.178A/W |
| स्पेक्ट्रल प्रतिक्रिया सीमा (R=0.1×Rmax) | - 225-290 एनएम |
| यूवी-दृश्य अस्वीकृति अनुपात (Rmax/R400 nm) | - >10 |
व्यक्ति से संपर्क करें: Xu
दूरभाष: 86+13352990255
