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उत्पाद विवरण:
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| चिप का आकार: | 1 मिमी 2 | पैकेज: | एसएमडी 3535 |
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| विशेषताएं: | उच्च पारदर्शी क्वार्ट्ज खिड़की, उच्च संवेदनशीलता, कम अंधेरे धारा | प्रतिक्रिया तरंग दैर्ध्य: | 230-325 एनएम |
| प्रमुखता देना: | यूवीबी यूवी फोटोडायोड सेंसर,यूवी फोटोडायोड सेंसर जीएस-यूवीबी-3535एलक्यूसी,एसआईसी यूवी फोटोडायोड |
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उत्पाद का वर्णन:
GS-UVB-3535LQC UVB SIC यूवी फोटोड सेंसर यूवी-बी विकिरण खुराक माप
विशेषताएं:
सामान्य विशेषताएं:
l यूवीबी+यूवीसी बैंड के प्रति चुनिंदा प्रतिक्रिया
l फोटोवोल्टिक मोड ऑपरेशन
क्वार्ट्ज खिड़की के साथ SMD 3535 सिरेमिक पैकेज
उच्च प्रतिक्रियाशीलता और कम अंधेरे प्रवाह
अनुप्रयोग:
यूवी-बी लैंप की निगरानी, यूवी-बी विकिरण खुराक माप
विनिर्देशः पैरामीटर प्रतीक मूल्य इकाई अधिकतम रेटिंग
ऑपरेशन तापमान सीमा Topt -25-85 oC
भंडारण तापमान सीमा Tto -40-80 oC
सोल्डरिंग तापमान (3 सेकंड) Tsol 260 oC
रिवर्स वोल्टेज Vr-max -10 V
सामान्य विशेषताएं (25 oC) चिप का आकार A 1 मिमी2 अंधेरा प्रवाह (Vr = -5 V) Id <1 nA तापमान गुणांक (@265 nm) Tc 0.05 %/ oC क्षमता (० वी और १ मेगाहर्ट्ज पर) Cp 18 pF> <१ nA तापमान गुणांक Tc 0.065 %/ oC क्षमता (० वी और १ मेगाहर्ट्ज पर) Cp 1.7 pF>
<1 nA तापमान गुणांक (@265 एनएम) Tc 0.05 %/ oC क्षमता (0 वी और 1 मेगाहर्ट्ज पर) Cp 18 p>
विनिर्देश:
| पीक रिस्पॉसिविटी की तरंग दैर्ध्य | λ p 290 एनएम |
| पीक रिस्पॉसिविटी (385 एनएम) | आरमैक्स 0.129 ए/डब्ल्यू |
| स्पेक्ट्रल प्रतिक्रिया सीमा (R=0.1×Rmax) | 230-325 एनएम |
| यूवी-दृश्य अस्वीकृति अनुपात (Rmax/R450 nm) | - >10 - |
व्यक्ति से संपर्क करें: Xu
दूरभाष: 86+13352990255
