|
उत्पाद विवरण:
|
| चिप का आकार: | 0.22 मिमी2 | पैकेट: | एसएमडी 2835 |
|---|---|---|---|
| विशेषताएँ: | उच्च प्रतिक्रिया, कम अंधेरा वर्तमान, अच्छा दृश्य प्रकाश अंधापन | प्रतिक्रिया तरंग दैर्ध्य: | 210-370 एनएम |
| ठेठ आवेदन: | ओजोन जनरेटर डिस्चार्ज डिटेक्शन | ||
| प्रमुखता देना: | जीएस-एबीसी-2835एम यूवी फोटोडायोड सेंसर,सौर यूवी फोटोडायोड सेंसर |
||
उत्पाद वर्णन:
जीएस-एबीसी-2835एम सौर पराबैंगनी निगरानी सेंसर
विशेषताएँ:
सामान्य विशेषताएं: एल यूवीए + यूवीबी + यूवीसी फोटोडायोड एल फोटोवोल्टिक मोड ऑपरेशन एल एसएमडी 2835 पैकेज एल अच्छा दृश्य अंधापन एल उच्च उत्तरदायित्व और कम अंधेरा वर्तमान अनुप्रयोग: यूवी सूचकांक निगरानी, यूवी विकिरण खुराक माप, लौ का पता लगाना
पैरामीटर प्रतीक मान इकाई अधिकतम रेटिंग
ऑपरेशन तापमान रेंज टॉप -25-85 oC
भंडारण तापमान सीमा Tsto -40-85 oC
सोल्डरिंग तापमान (3 s) Tsol 260 oC
रिवर्स वोल्टेज वीआर-मैक्स -10 वी
सामान्य विशेषताएँ (25 oC) चिप का आकार A 0.22 mm2 डार्क करंट (Vr = -1 V) Id
<1 एनए तापमान गुणांक (@265 एनएम) टीसी 0.05%/ओसी क्षमता (0 वी और 1 मेगाहर्ट्ज पर) सीपी 3.4 पी>
विशेष विवरण:
| शिखर उत्तरदायित्व की तरंग दैर्ध्य | λ पी 355 एनएम |
| पीक उत्तरदायित्व (385 एनएम पर) | आरमैक्स 0.20 ए/डब्ल्यू |
| स्पेक्ट्रल प्रतिक्रिया रेंज (आर = 0.1 × आरमैक्स) | 210-370 एनएम |
| यूवी-दृश्यमान अस्वीकृति अनुपात (Rmax/R450 एनएम) | - >10 - |
व्यक्ति से संपर्क करें: Xu
दूरभाष: 86+13352990255
